Informazioni Generali
- Ente banditore: Istituto Nazionale di Fisica Nucleare
- Profilo professionale ricercato: Collaboratore
- Numero di posti: 1
- Tipo di contratto: Lavoro autonomo
- Sede di lavoro: Torino, Piemonte
- Scadenza domande: 2026-07-07 21:59
- Canale di presentazione domanda: Portale inPA
- Tassa di concorso: Non specificato
Descrizione del Bando
Il soggetto, cui sarà conferito l'incarico, dovrà svolgere a beneficio dell'INFN presso la Sezione di Torino, attività di progettazione CMOS IP ed integrazione con metodologia digital-on-top, verifica UVM full-chip e design for manufacturability per la progettazione e gestione dei run di fonderia di sensori CMOS integrati in un processo tecnologico CIS 110nm. La durata dell'incarico è prevista in 30 mesi, non è ammesso il rinnovo.
Trattamento Economico
Il corrispettivo onnicomprensivo è pari a euro 225.000,00.
Requisiti di Ammissione
- Requisiti generali:
- Cittadinanza italiana o di uno degli stati membri dell'Unione Europea.
- Iscrizione nelle liste elettorali.
- Non aver riportato condanne.
- Requisiti specifici:
- PhD in Ingegneria Elettronica o titolo equivalente.
- Esperienza pregressa di 10 anni nella progettazione di ASICs.
- Almeno 3 anni di esperienza nella integrazione di sensori CMOS monolitici.
Modalità di Presentazione della Domanda
Gli interessati dovranno inoltrare domanda esclusivamente per via telematica, autenticandosi con SPID/CIE/CNS/eIDAS, compilando il format di candidatura sul Portale «inPA».
Procedura Concorsuale
La procedura comparativa sarà effettuata da una Commissione che procederà alla valutazione dei titoli.
Note
La presentazione della domanda deve avvenire entro il termine perentorio di 15 giorni successivi alla data di pubblicazione del presente avviso.